TECNOLOGIA

IBM y Samsung disean un chip que permitira bateras de mvil de hasta una semana de duracin


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IBM y Samsung dise

BM y Samsung han desarrollado un nuevo diseo para el apilamiento de los transistores en chips como procesadores y los sistemas en chip (SoC, en ingls), que permite saltar limitaciones de rendimiento o reducir el consumo energtico manteniendo un flujo de corriente alto.

En otras palabras, gasta muchsima menos energa y alargara la batera de dispositivos como mviles, tablets, videoconsolas o incluso ordenadores.

El diseo se ha presentado el marco de la feria ‘International Electron Devices Meeting’ (IEDM), que se celebra en San Francisco (Estados Unidos) y donde de forma anual las empresas del sector de los semiconductores comparten sus ltimas innovaciones.

Las dos compaas tecnolgicas han aprovechado IEDM para presentar el diseo que han llamado ‘Vertical Transport Field Effect Transistors’ (VTFET), es decir, un diseo que apila los transistores de un chip en perpendicular para que la corriente elctrica fluya de forma vertical, como informan en Engadget.

Este diseo difiere del actual, por el que se apilan los transistores sobre chip, en horizontal, para que la corriente fluya de lado a lado. La ventaja del nuevo diseo permite ir ms all de la Ley Moore, que establece que cada dos aos deben duplicarse los transistores de un circuito integrado, lo que con el tiempo ha permitido tener ordenador ms potentes al tiempo que ms pequeos y econmicos.

Segn indican en el medio citado, al ir ms all de la Ley Moore, VTFET permite saltar algunas limitaciones de rendimiento, pero tambin reducir el consumo energtico con un mayor flujo de corriente elctrica.

Segn las dos compaas, los chips con diseo VTFET podrn ser dos veces ms rpidos o reducir el consumo energtico en un 85 por ciento respecto a FinFET. De forma ms simple, podran dar lugar a telfonos con autonoma para aguantar una semana completa con una sola carga.

No obstante, y segn han matizado desde Samsung, el diseo podra ofrecer mejoras «extremas» bien en el rendimiento bien en la autonoma de la batera, pero no en ambos casos. S ayudar a la compaa surcoreana a superar su tecnologa de nanohojas existente, aunque no necesariamente caminar hacia chips ms densos de 1 nanmetro.

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